【記者魏雲日/新竹報導】2024-04-23
       成立於1995年,2017 經營團隊全面改组,2018年6 月經濟部核准更名為兆勁科技股份有限公司,2019年成立先進雷射晶片事業部門2020成立兆通光電(原兆勁科技先進雷射晶片事業)。

4月23日產品發表會合影                  雲視界記者魏雲日攝影

兆通光電致力於光元件的設計與開發,包含有高亮度磷化鋁銦鎵發光二極體(AIGaInP LED)·高速/高功率垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、高速/高功率邊射型雷射(EEL)。專利佈 局迄今為止已經獲取台灣專利共21件:發明專利14件,新型專利7件。

                                     雲視界記者魏雲日攝影


 兆通光電之核心產品開發說明如下:
1.AIGaInP四元红光LED:570-650nm/over 700nm IR-LED 570/590mm 兩項產品因材料上在主動層內之能隙差過淺特性,非常容易造成內部量子效率不佳的情況,台灣有能力提供高效能的四元LED 廠家不多,可以提供穩定的短波長四元 LED更是少。
因此本案研發團隊將既有經验在最短時間內開發出高亮度短波長(570/590nm) 四元LED晶片。620nm 將以開出 high  power  LED為優先目標。

2.高速/高功率垂直共振面射型雷射 VCSEL:650/850/905/940mm 本司產品開發將會著重於高功率與高速VCSEL元件開,其核心的技術著重於自身研發的磊晶結構藉以獲取低值電流、低的串聯電阻、低的元件電容的高傳輸速度的VCSEL磊 晶片。同時導入多氧化層/多主動層(多節)的結構設計來實现高功率VCSEL&晶片、元件 波長產品會以650nm/850nm/940tm 為主。因VCSEL產品屬性客製化規格種類繁多、同時驗證期長。
因此高遠傳輸速度 >25Gbps VCSEL 結構列為首要開發目標·

3.高速/高功率邊射型雷射EEL:1310/1550nm
EEL 規格客製化屬性高,驗證期長,列為中/長期開發目標以光通訊1310/1550 為主。然而P side grating 結構開發,因光栅結構與主動層之間能再成長(re-growth)的間隔層只有150-165nm設計厚度,需填平的間隔間隙(光柵週期為深度-50nm/寬度-120nm), 最後在上面補長LD尚未完成的MQW以及cladding/contact layer ,容造成電性無法提升之主要因素,故最終目標將以開發 N side grating 結構為邊射型雷射之核心結構。
兆通光電研發團隊也掌握住 Re growth的&磊晶成長技巧。

對應的應用及市場:
主打中大功率產品及高速產品,中大功率產品主攻3D感測應用及遠距測距應用,方無人機,車用光達等電子消費市場及紅光生醫市場。
高速產品强調傳輸速率,包含用於短距離傳輸的GaAs VCSEL及中長距離的InP EEL兩種類型
,主要應用於5G,甚至未來的6G,還有IOT物聯及AI資料中心(DaTa Center)。

兆通光電未來將秉持著科學的精神、理性的態度、務實的作法為股東、員工、客戶創造公司最大的價值。期望在化合物半導體產業中創造出競争優势,成為整體供應鏈的好夥伴。


新聞聯絡人:林志遠副總經理
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